疊層電池中微晶硅層的生長速率和質(zhì)量會顯著影響電池的成本，為了降低微晶硅薄膜電池的成本，必須提高微晶硅的沉積速率，目前在保證電池質(zhì)量的前提下，采用pecvd技術(shù)所能達到的微晶硅沉積速率一般為5a/s，采用hwcvd微晶硅的沉積速率一般為1a／s左右，而疊層電池中微晶硅層的厚度較厚，一般為1～2µm，因此可以推斷采用pecvd技術(shù)僅沉積微晶硅層就需要34～68min，這嚴重地影響了電池制備的節(jié)拍時間，而且薄膜硅電池整個生產(chǎn)線的節(jié)拍時間是由硅薄膜沉積這個工序決定的，因為這段工序所需要的時間最長，因此微晶硅的沉積速率最終影響到了整個產(chǎn)線的節(jié)拍時間。
　　目前國內(nèi)對于微晶硅快速生長的研究僅在南開大學、鄭州大學、南京大學等開展，且產(chǎn)業(yè)化的開發(fā)還未開始，因此需要進行微晶硅快速生長的研究，以獲得更高生長效率的微晶硅層。
　　因此對于微晶硅高速沉積技術(shù)的研究是比較重要的課題方向，研究的內(nèi)容主要是通過調(diào)節(jié)電極間輝光放電的頻率和功率、電極距離、氣體的比例、氣體的壓力、氣體的流量等參數(shù)以獲得高質(zhì)量、高沉積速率的微晶硅薄膜，最終縮短微晶硅層的沉積時間。