事件：

　　東光微電公布年報(bào)，年報(bào)顯示公司主營收入2.09億元，同比增長了28.74%，實(shí)現(xiàn)利潤總額3538萬元，同比增長40.04%，同時公布了10年利潤分配預(yù)案，以2010年12月31日的總股本為基數(shù)，向全體股東每10股派現(xiàn)金紅利2元（含稅）。

　　點(diǎn)評

　　第四季度主營業(yè)務(wù)收入略下降，國內(nèi)半導(dǎo)體分立器件市場進(jìn)入高速成長期。2010年第4季度業(yè)績環(huán)比上一季度下降11.31%，同比09年下降22.66%。第4季度業(yè)績下降的主要原因是09第四季度基數(shù)較高，但仍屬于正常范圍以內(nèi)，隨著旺季到來，公司將重新步入增長軌道。CCID預(yù)測國內(nèi)半導(dǎo)體分立器件市場07-11年的增長率為19.1%。國際電子商情網(wǎng)的調(diào)查顯示，隨著風(fēng)力發(fā)電和太陽能發(fā)電項(xiàng)目、汽車電子、LED 照明、高清電視、智能手機(jī)、軌道交通、 智能電表等行業(yè)應(yīng)用的拉動，中國將成為全球最大的功率器件市場。2009年中國功率器件銷售額超過870億元，2010年預(yù)計(jì)將在此基礎(chǔ)上增長9.89％至956億元，而到了2011年功率器件在中國市場銷售量預(yù)計(jì)將達(dá)全球市場的一半，達(dá)到1060億元。

　　我們認(rèn)為高端的半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品如MOSFET、IGBT的增速將高于晶閘管和雙極型晶體管，公司的VDMOS等產(chǎn)品有廣闊的進(jìn)口替代成長空間。

　　半導(dǎo)體防護(hù)器件王者，等待“大防護(hù)”市場爆發(fā)。公司從98年創(chuàng)建初始，就開始研發(fā)和生產(chǎn)半導(dǎo)體防護(hù)器件，目前已經(jīng)是國內(nèi)通信設(shè)備防護(hù)器件的領(lǐng)導(dǎo)者，市場占有率第一，近兩年都維持在80%左右，客戶結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，市場的認(rèn)可度極高。公司去年防護(hù)器件生產(chǎn)線滿載運(yùn)轉(zhuǎn)，產(chǎn)能利用率超過100%。隨著今年年底募投項(xiàng)目4英寸生產(chǎn)線的投產(chǎn)，防護(hù)器件的生產(chǎn)規(guī)模將擴(kuò)大170%，到那時規(guī)模效應(yīng)會得到更好的體現(xiàn)，因此，我們認(rèn)為公司防護(hù)器件的毛利率將在今后三年內(nèi)繼續(xù)保持在55%左右。公司將繼續(xù)維護(hù)好原有通訊市場防護(hù)器件市場領(lǐng)先地位，同時，積極開拓應(yīng)用于智能電網(wǎng)電力設(shè)備、高端精密生產(chǎn)設(shè)備等新的防護(hù)器件領(lǐng)域，做“大防護(hù)”市場的領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)。

　　VDMOS 4寸線技改項(xiàng)目順利進(jìn)行，進(jìn)口替代前景廣闊。VDMOS是節(jié)能燈、新能源逆變器的關(guān)鍵高端器件，良好的性價(jià)比使其成為目前最重要的功率開關(guān)器件，在整個半導(dǎo)體器件市場大概占40%份額。由于承擔(dān)了工信部的新能源500V/30A VDMOS的產(chǎn)品開發(fā)項(xiàng)目和公司的IGBT研發(fā)項(xiàng)目，VDMOS的產(chǎn)能受到一定的影響，未來如果工信部的項(xiàng)目研發(fā)成功，公司的高端VDMOS產(chǎn)品將正式打入國家極力倡導(dǎo)的新能源產(chǎn)業(yè)。同時，公司用于其它VDMOS器件生產(chǎn)的產(chǎn)能已經(jīng)滿載，該生產(chǎn)線渡過爬坡期后，產(chǎn)能利用率將加速提升，預(yù)計(jì)毛利率也會較之前的10%~20%有較大程度的提高。另外，公司2005年從奧地利引進(jìn)的4英寸線的生產(chǎn)設(shè)備更新、替換工作正在順利進(jìn)行，生產(chǎn)線的技改完成后，預(yù)計(jì)VDMOS出貨量將比現(xiàn)在增長140%。由于VDMOS的生產(chǎn)技術(shù)壁壘較高，目前國內(nèi)僅有士蘭微、華微電子、東光微電等幾家公司可以量產(chǎn)VDMOS。公司將繼續(xù)完善VDMOS的產(chǎn)品規(guī)格，改善制造工藝和技術(shù)，使產(chǎn)品的性能盡快趕上國際大廠仙童、ST、Vishay的同類產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代。

　　公司的IGBT的研發(fā)取得突破，小范圍供樣客戶試用中。IGBT項(xiàng)目一直是公司細(xì)心呵護(hù)和培育的重點(diǎn)，目前已經(jīng)取得階段性的成果，并已開始對幾家公司小批量送樣，雖然目前還無法給公司貢獻(xiàn)利潤，但公司在VDMOS研發(fā)上的積累的技術(shù)優(yōu)勢，為研制IGBT提供了強(qiáng)有力的技術(shù)平臺支撐，IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣闊，包括電力機(jī)車、空調(diào)變頻、太陽能光伏發(fā)電以及UPS通信電源，目前國內(nèi)還沒有自主品牌的IGBT，甚至中小功率的IGBT芯片封裝能力都比較欠缺，IGBT主要被日本、歐美企業(yè)壟斷，我們期待公司的核心IGBT芯片和封裝上能取得更大的成功。

　　優(yōu)化可控硅、1300產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，擴(kuò)建封裝線。公司的可控硅器件一直供不應(yīng)求，目前已進(jìn)入市場前景廣闊家電功率控制領(lǐng)域，毛利率會有提高。1300系列器件方面，由于市場上對已形成規(guī)模優(yōu)勢的華微電子等公司的相關(guān)產(chǎn)品認(rèn)可度更高，公司的1300系列產(chǎn)品將會逐漸轉(zhuǎn)向工藝難度更高的電源領(lǐng)域。同時，1300生產(chǎn)線也部分用于生產(chǎn)與IGBT配套使用的FRD（快速恢復(fù)二極管），形成公司新的利潤增長點(diǎn)。公司放在子公司東晨電子的封裝生產(chǎn)線擴(kuò)建項(xiàng)目將為公司新增6.5億只的封裝產(chǎn)能，基本滿足本公司自身的芯片封裝需求，為公司節(jié)省外協(xié)封裝成本。

　　首次給與 “審慎推薦”評級。預(yù)計(jì)2011-2013 年EPS 分別為0.43 元、0.69 元、和1.06 元，按照最新股價(jià)23.03 元，對應(yīng)的PE 分別為53 倍、33 倍和22 倍，我們認(rèn)為雖然今年整個半導(dǎo)體行業(yè)不會有去年30%那么高的增長速度，但是考慮到半導(dǎo)體功率器件近年來加速向中國國內(nèi)產(chǎn)能轉(zhuǎn)移的態(tài)勢，隨著公司募投項(xiàng)目的投產(chǎn)，我們期待公司業(yè)績未來將有更大的驚喜。