【發(fā)布文號】公告2013年第48號
　　【發(fā)布日期】2013-07-18

　　根據(jù)《中華人民共和國反傾銷條例》（以下稱《反傾銷條例》）的規(guī)定，2012年7月20日，商務(wù)部發(fā)布第40號公告，決定對原產(chǎn)于美國和韓國的進(jìn)口太陽能級多晶硅反傾銷立案調(diào)查。該產(chǎn)品歸在《中華人民共和國進(jìn)出口稅則》：28046190。該稅則號項下用于生產(chǎn)集成電路、分立器件等半導(dǎo)體產(chǎn)品的電子級多晶硅不在本次調(diào)查產(chǎn)品范圍之內(nèi)。

　　商務(wù)部（以下稱調(diào)查機關(guān)）對原產(chǎn)于美國和韓國的進(jìn)口太陽能級多晶硅（以下稱被調(diào)查產(chǎn)品）是否存在傾銷及傾銷幅度、國內(nèi)多晶硅產(chǎn)業(yè)是否受到損害及損害程度、以及傾銷與損害之間的因果關(guān)系進(jìn)行了調(diào)查，根據(jù)調(diào)查結(jié)果和《反傾銷條例》第二十四條的規(guī)定，調(diào)查機關(guān)作出初步裁定（見附件），并就有關(guān)事項公告如下：

　　一、初步裁定

　　調(diào)查機關(guān)初步裁定，在本案調(diào)查期內(nèi)，被調(diào)查產(chǎn)品存在傾銷，中國多晶硅產(chǎn)業(yè)受到實質(zhì)損害，而且傾銷與損害之間存在因果關(guān)系。

　　二、被調(diào)查產(chǎn)品范圍及措施范圍

　　本案被調(diào)查產(chǎn)品及實施措施產(chǎn)品的具體描述如下：

　　調(diào)查和措施范圍：原產(chǎn)于美國和韓國的進(jìn)口太陽能級多晶硅。

　　被調(diào)查產(chǎn)品名稱：太陽能級多晶硅。英文名稱：Solar-Grade Polysilicon。

　　被調(diào)查產(chǎn)品的具體描述：以氯硅烷為原料采用（改良）西門子法和硅烷法等工藝生產(chǎn)的，用于生產(chǎn)晶體硅光伏電池的棒狀多晶硅、塊狀多晶硅、顆粒狀多晶硅產(chǎn)品。

　　被調(diào)查產(chǎn)品電學(xué)參數(shù)為：基磷電阻率<300歐姆∙厘米（Ω ∙ cm）；基硼電阻率<2600歐姆∙厘米（Ω ∙ cm）；碳濃度>1.0×1016（at/cm3）；n型少數(shù)載流子壽命<500μs；施主雜質(zhì)濃度>0.3×109;受主雜質(zhì)濃度>0.083×109 。

　　主要用途：主要用于太陽能級單晶硅棒和定向凝固多晶硅錠的生產(chǎn)，是生產(chǎn)晶體硅光伏電池的主要原料。

　　該產(chǎn)品歸在《中華人民共和國進(jìn)出口稅則》：28046190。該稅則號項下用于生產(chǎn)集成電路、分立器件等半導(dǎo)體產(chǎn)品的電子級多晶硅不在本次調(diào)查產(chǎn)品范圍之內(nèi)。