2012年5月份開始，在疲弱的市場環(huán)境中，單晶組件的銷售難度開始遠大于多晶組件，目前還在生產(chǎn)的單晶企業(yè)已經(jīng)不多，估計業(yè)內(nèi)停產(chǎn)率已到了85%以上，很多以前切單晶的切片廠改切了多晶，做單晶電池的廠商改線后開始做多晶電池，使得多晶方面的競爭壓力也變大，多晶組件價格下降后，反過來單晶的日子更加堅難了。

　　為什么會出現(xiàn)這種情況?以后的市場結(jié)構(gòu)將如何變化呢?且看下面分析。

　　全文以156*156的硅片來說明。為使文章簡單明了，全文弱化各環(huán)節(jié)的精確成本。

目前國內(nèi)的主流水平

　　注：此次選擇的國內(nèi)部份一二線的組件廠的終端組件，時間截止到2012年7月份。由于時間關(guān)系，個別企業(yè)的網(wǎng)站在收集資料的那幾天打不開，故未收錄當中。

　　此11家光伏企業(yè)的組件年產(chǎn)能約為15GW，基本可以代表當下國內(nèi)主流水平。

　　從上面兩張圖中可以看出，60片裝中英利和中電可以量產(chǎn)270W的組件，而晶澳在72片裝中可以量產(chǎn)325W的組件。根據(jù)現(xiàn)有的路線技術(shù)圖，未來三年到五年，每個季度行業(yè)的電池轉(zhuǎn)換效率平均可提升0.1%，每半年市場終端組件可平均提升5W。國外頂級水平現(xiàn)在已能在60裝的組件中量產(chǎn)305W-325W的組件。

每千克方錠/方棒的出片數(shù)和單晶與多晶加工差對硅片價格的影響

　　注：表格中，第一行為每千克方棒的出片數(shù)，單位是片，第一列為單晶方棒和多晶方錠間的加工差，加工差=多晶方錠加工費/千克-單晶方棒加工費/千克，單位：元/千克。主表中的數(shù)據(jù)為每千克硅錠加工費差對應(yīng)的每張硅片的價格差，計算方法：硅片價格差=硅錠加工費差/單位出片數(shù)，單位：元/張。156*156硅片。(加工費只指材料，人工，水電，不算折舊費用的)

　　從表中可以看出，出片數(shù)越多，每張硅片的成本差就越少。出片數(shù)越多，單晶棒的生存空間將越大。

　　要想每千克的硅錠出片數(shù)增加，方法有二，一是提升成品率，二是減少切割槽距。減少切割槽距可以是降低硅片厚度也可以用更細的切割線，或是新的切割技術(shù)如金剛石線切甚至于激光切割。

　　注：下表中第一行為切片的成品率，第一列為切片的槽距，單位是微米。主表中的數(shù)據(jù)為每千克方錠的出片數(shù)(為計算方便單晶多晶都以每千克17.6mm來計算，計算方法：出片數(shù)=17.6/槽距*成品率)。事實上由于倒角的原因，同樣槽距和成品率每千克單晶可以比多晶多切幾片。.

　　目前單單只是讓硅片變薄并不是問題，但成品率還需提高一點，主要是電池工藝必須得跟上。當下主流水平還是50片左右/KG，研發(fā)中已能到60片以上了。電池環(huán)節(jié)目前僅僅只有個別公司可以小批量生產(chǎn)150μm厚的電池片。

單晶硅片和多晶硅片的價格差對終端組件的影響

　　注：上表中，第一行為每張單晶硅片和多晶硅片的價格差，價格差=多晶硅片價格—單晶硅片價格，單位：元/張。第一列為60片156*156硅片的組件峰瓦，單位：W。主表中的數(shù)據(jù)為每張單/多晶硅片價格差對應(yīng)到相同W數(shù)組件后的價格差，單位：元/W。陰影部份為國內(nèi)未量產(chǎn)的，目前國外頂級水平的60片的組件中已能生產(chǎn)最高325W的組件。

　　截止到2012年8月6日，多晶硅片的主流成交價已來到7元/張，為6.9元-7.1元/張，而單晶硅片的主流成交價已跌破9.5元/張，為9-9.5元/張。兩者的價格差已是1.9-2.6元/張，競爭白熱化。

　　假設(shè)多晶賣7元/張，單晶賣9.4元/張，兩者價差在2.4元/張，在240W級別中兩者的價差是0.6元/W，單晶是賣不動的，單晶只可能是提升級別以260W以上的組件來拼價格。而在270W級別中兩者組件價差掉到0.533元W，由于多晶暫時無量產(chǎn)270W的，單晶組件在這個級別的生存空間加大。

　　假若多晶賣7元/張，單晶賣9元/張，兩者價差在2元/張，兩者競爭同樣只能是高級別單晶同低級別的多晶來比。從表中可以看出，未來隨著兩者的加工費差價越來越小，電池轉(zhuǎn)換效率越來越高，單晶的生存空間將大大加強，甚至于逆轉(zhuǎn)當前的不利局面。1 t8 y1 e-

　　這里只考慮硅片價格差對同級別組件的影響，并未考慮電池的成本。正常情況下，同樣厚度的156單晶硅片和多晶硅片同時做到轉(zhuǎn)換效率17.5%，單晶電池的成本要低一些。但是如果單晶硅片變薄后再做到17.5%，可能會由于碎片的增加，成本提高，魚和熊掌難以兼得，兩者應(yīng)該同時考慮。

　　倒角的影響

　　正常情況下，如果都是同樣面積156*156的硅片，同樣的加工費在一張電池片單晶可以輕松的做出比多晶多出不少的峰瓦值。

　　但是單晶要倒角，所以同樣是156*156 的硅片，單晶的面積要小一些。單晶面積是23800-23900平方毫米，而多晶正常水平是24336±1平方毫米，取單晶最小面積是23800平方毫米，單晶面積：多晶面積=0.977975，多晶面積：單晶面積=1.022521。

　　注：