TOPCon 僅需在現(xiàn)有 PERC 產(chǎn)線上升級就可實現(xiàn)。TOPCon 電池概念由德國弗勞恩霍 夫太陽能系統(tǒng)研究所于 2013 年提出，TOPCon 技術與 PERC 電池在產(chǎn)線上設備兼容 性較高，在現(xiàn)有 PERC 產(chǎn)線基礎上增加低壓力化學氣相沉積設備（LPCVD）、硼擴設 備以及鍍膜設備即可，2022 年 TOPCon 電池線設備投資成本約為 19 萬元/MW，其 技術升級難度、運營成本相比異質(zhì)結(jié)路線具備一定優(yōu)勢。

異質(zhì)結(jié)現(xiàn)階段成本較高，未來降本空間較大。雖然異質(zhì)結(jié)工藝步驟相對簡單，僅 包括制絨清洗、非晶硅薄膜沉積、TCO 制備、電極制備四大步驟，且在制絨和絲 網(wǎng)印刷階段與 PERC 技術相差不大，但異質(zhì)結(jié)技術單工藝步驟難度較大，設備投資 額和設備價值量較現(xiàn)有產(chǎn)線大幅增加，成本主要體現(xiàn)在 PECVD、PVD 設備，占整條 產(chǎn)線價值 70%以上。根據(jù)中國光伏產(chǎn)業(yè)協(xié)會的數(shù)據(jù)，目前異質(zhì)結(jié)電池片產(chǎn)線設備 投資額約 36.4 萬元/MW，未來仍有較大的成本下降空間，異質(zhì)結(jié)技術有望憑借其 低溫工藝可保障硅片成片率的優(yōu)勢成為未來發(fā)展的主要方向。

國產(chǎn)設備廠商積極布局，國產(chǎn)化率提升值得期待。異質(zhì)結(jié)電池制造流程中的四大 步驟對應設備分別為清洗設備、PECVD 設備、PVD 設備以及絲網(wǎng)印刷設備。經(jīng)過多 年發(fā)展，國內(nèi)市場已由初期進口設備遙遙領先的局面轉(zhuǎn)向國產(chǎn)設備占主流的市場 格局，以絲網(wǎng)印刷設備為例，邁為股份太陽能電池絲網(wǎng)印刷生產(chǎn)線成套設備的性 能和技術指標已經(jīng)可以和進口品牌相媲美，實現(xiàn)了絲網(wǎng)印刷設備的國產(chǎn)化替代， 在國內(nèi)太陽能電池絲網(wǎng)印刷設備領域的增量市場份額連續(xù)多年居于首位。

薄膜沉積設備

2020 年全球半導體薄膜沉積設備市場規(guī)模約 172 億美元。根據(jù) Maximize Market Research 數(shù)據(jù)統(tǒng)計，2017-2019 年全球半導體薄膜沉積設備市場規(guī)模 分別為 125 億美元、145 億美元和 155 億美元，2020 年擴大至約 172 億美元， 年復合增長率為 11.2%。根據(jù) Maximize Market Research 的預計，全球半導 體薄膜沉積設備市場規(guī)模在 2025 年達到 340 億美元，保持年復合 13.3%的增長 速度。從設備投資占比角度來看，薄膜沉積設備作為晶圓制造的三大主設備之一，其投資規(guī)模占晶圓制造設備總投資的 25%。根據(jù)不同的應用場景，薄膜沉積設備 可分為 PECVD、濺射 PVD、ALD、LPCVD 等不同的設備。其中，PECVD 是薄 膜設備中占比最高的設備類型，占整體薄膜沉積設備市場的 33%。

相比傳統(tǒng)CVD設備，PECVD 設備薄膜沉積速度更快。PECVD 是等離子體增強化學氣相沉積法的簡稱，借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發(fā)生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。PECVD 設備是芯片制造的核心設備之一，主要功能是在將硅 片控制到預定溫度后，使用射頻電磁波作為能量源在硅片上方形成低溫等離子體， 通入適當?shù)幕瘜W氣體，在等離子體的激活下，經(jīng)一系列化學反應在硅片表面形成 固態(tài)薄膜。相比傳統(tǒng)的 CVD 設備，PECVD 設備在相對較低的反應溫度下形成高 致密度、高性能薄膜，不破壞已有薄膜和已形成的底層電路，能實現(xiàn)更快的薄膜 沉積速度。 PVD 是物理氣相沉積的簡稱。異質(zhì)結(jié)電池生產(chǎn)第三道工序主要采用鏈式多腔 PVD 真空鍍膜設備，通過 Magnetic Sputtering（磁控濺射）技術或 RPD（離子 反應鍍膜）技術，在非晶硅鈍化異質(zhì)結(jié)電池正背面沉積 TCO 透明金屬氧化物導 電膜，主要為 75-80nm 厚的 ITO 氧化銦錫膜，用于縱向收集載流子并向電極橫 向傳輸，同時減少入射光學反射。