N型的單晶硅片從潛力上來(lái)講是未來(lái)的方向。但是我們也發(fā)現(xiàn)N型雖然潛力很高，但是目前硅片尺寸還是以6寸為主，電池成本過(guò)高，所以在未來(lái)我們做鑄錠，希望用鑄錠工藝做成N型類單晶的硅片。
　　提到成本和效率，又回到多晶目前的發(fā)展瓶頸，很多人說(shuō)單晶成本下降很快多晶未來(lái)發(fā)展的勢(shì)頭會(huì)差一點(diǎn)，我也把自己的思路理了一下，總結(jié)以下四點(diǎn)討論這個(gè)問(wèn)題。
　　第一點(diǎn)，我們不得不承認(rèn)目前所有高效的電池工藝都是基于單晶，多晶電池工藝并不是很多，研究也比較少。
　　第二點(diǎn)，金剛線切割帶來(lái)的表面制絨工藝的突破，這個(gè)瓶頸如果突破的話，多晶切片金剛線切割就會(huì)大規(guī)模生產(chǎn)，推向市場(chǎng)。
　　第三點(diǎn)是類單晶的技術(shù)突破，中間一類片的效率分布廣，另外外觀接受度有問(wèn)題，二、三類片的效率需要進(jìn)一步提升。
　　第四點(diǎn)，硅片下降的成本空間也受到了客觀條件的約束，前面講到金剛線在多晶切割方面沒(méi)有大規(guī)模的導(dǎo)入，所以也導(dǎo)致用于這種切割工藝的產(chǎn)量產(chǎn)能沒(méi)有辦法大規(guī)模生產(chǎn)。再有就是裝料量，把裝料量從1.2噸提高到1.6噸，它不是技術(shù)問(wèn)題，而是安全方面的問(wèn)題。
　　大家也知道作為單晶而言，傳統(tǒng)方法就是直拉，德拉單晶棒及它的優(yōu)點(diǎn)很明顯，絕緣密度很低，效率高，缺點(diǎn)是投料少，操作復(fù)雜，成本高。如果用鑄錠方法從某種意義上來(lái)看，投料量確實(shí)做得很大，G6確實(shí)沒(méi)有問(wèn)題，操作簡(jiǎn)單，成本低，但是技術(shù)難度比較大。
　　這里我給出了一個(gè)最新的研究結(jié)果探討這個(gè)技術(shù)，這是今年在太陽(yáng)能材料和電池雜志上發(fā)表的一篇最新報(bào)道，采用N型類單晶硅片做了HIT電池工藝。如果在鑄錠區(qū)域中間部分的硅片，它做得HIT即使在這樣一個(gè)鑄錠環(huán)境下做的硅片，中間轉(zhuǎn)換區(qū)域可以做到21.5%，但對(duì)我們來(lái)講依然有很大的挑戰(zhàn)。第一，籽晶，使用特定晶向的單晶，成本高于正常硅料。第三是效率的進(jìn)一步提升，主要解決效率分布問(wèn)題。第三是單晶區(qū)域在整個(gè)晶體中的比例提升，目標(biāo)實(shí)現(xiàn)80%左右單晶硅片產(chǎn)出比例。
　　最后講一下鑄錠多晶發(fā)電量的研究。首先是溫度系數(shù)的影響，在戶外它不是標(biāo)準(zhǔn)的環(huán)境溫度，也不是標(biāo)準(zhǔn)的輻照度。這是我在網(wǎng)上找的一篇德國(guó)學(xué)者做的一個(gè)多晶組件測(cè)試，得到的溫度是-0.42，這個(gè)溫度跟我們常規(guī)理解還是比較接近的。
　　接下來(lái)看看溫度系數(shù)的對(duì)比，這個(gè)我也是找了德國(guó)文章數(shù)據(jù)，坦白說(shuō)德國(guó)在過(guò)去幾年時(shí)間里，裝機(jī)應(yīng)用依然走在世界前列，同時(shí)積累了很多系統(tǒng)運(yùn)行的數(shù)據(jù)。從這個(gè)數(shù)據(jù)可以看到HIT結(jié)構(gòu)溫度系數(shù)在所有晶硅里面是最好的，從薄膜來(lái)看，薄膜實(shí)際測(cè)試和模擬中溫度測(cè)試還是比較低的。傳統(tǒng)的無(wú)論是單晶硅，多晶硅，溫度在戶外基本上都是負(fù)0.4-0.5波動(dòng)。如果未來(lái)我們要研究這么一個(gè)測(cè)試的條件，如何把組件溫度系數(shù)測(cè)準(zhǔn)對(duì)我們來(lái)說(shuō)是一個(gè)挑戰(zhàn)。
　　現(xiàn)在大家說(shuō)在同樣瓦數(shù)組件上面，同樣的輻照下，單晶比多晶的溫度低5-6度，為什么會(huì)發(fā)生這樣的變化，值得我們?nèi)ヌ接憽?br />　　最終多晶組言系統(tǒng)未來(lái)研究的重點(diǎn)有以下幾個(gè)方面。
　　第一，各種高效硅片工藝以及高效電池結(jié)構(gòu)導(dǎo)致的組件效率提升對(duì)最終系統(tǒng)發(fā)電量的影響，我想我們未來(lái)要關(guān)注這個(gè)方向的研究。
　　第二，多晶組件的光衰變化的趨勢(shì)與解決方案。
　　第三，鑄造單晶組件系統(tǒng)發(fā)電量的研究。
　　第四，多晶組件在弱光條件下的發(fā)電量的研究。剩下幾個(gè)我就不多講了，今天報(bào)道就分享到這里，謝謝大家。

作者： 來(lái)源：金融界 責(zé)任編輯：gaoting